收藏本站
QS6U22
Transistors
8
7
6
5
4
3
2
1
Ta = 25 ° C
V DD = ? 15V
I D = ? 1.2A
R G = 10 ?
Pulsed
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.10 Dynamic Input Characteristics
Measurement circuits
Pulse Width
V GS
I D
V DS
V GS
10%
50%
90%
50%
R L
R G
D.U.T.
10%
10%
V DD
V DS
t d(on)
90%
t r
t d(off)
90%
t r
t on
t off
Fig.11 Switching Time Measurement Circuit
Fig.12 Switching Waveforms
V G
I G(Const)
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
R G
D.U.T.
Q gs
Q gd
V DD
Charge
Fig.13 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.14 Gate Charge Waveform
Rev.A
4/4
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
QS6U24TR MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
QS8K2TR MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
QSB320FTR PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 2-PLCC
QSB34 PHOTODIODE GULL WING SMD
QSB363CYR PHOTOTRANSISTOR IR GULL WING 5MM
QSB363GR PHOTOTRANS IR 940NM GW TOPLOOKER
QSC112CC6R0 PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 3MM
QSC113C6R0 PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 3MM
相关代理商/技术参数
QS6U24 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching (-30V, -1A)
QS6U24_1 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch+SBD MOS FET
QS6U24TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
QS6Z5 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Complex Midium Power Transistors (50V/1A)
QS7024A-20J 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
QS7024A-20TF 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
QS7024A-25J 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:
QS7024A-25TF 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述: